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    X射线相关:高品质钙钛矿|闪烁晶体|X射线探测器|X射线探测成像|辐射探测器-卓立汉光

    产品型号: X射线相关
    品  牌: 卓立汉光
      价格电议,您可以向供应商询价得到该产品价格
    所 在 地: 北京通州区
    更新日期: 2024-06-05
    详细信息
    X射线相关:高品质钙钛矿|闪烁晶体|X射线探测器|X射线探测成像|辐射探测器

    产品介绍:
    本产品基于X射线激发的稳态发光光谱,荧光寿命,瞬态光谱以及X射线探测成像的相关测量方案,提供全套涵盖X射线激发源、光谱仪、稳态及瞬态数据处理、成像测量(CMOS成像,单像素成像,TFT面阵成像)、辐射剂量表、辐射安全防护等,辐射防护满足国标《低能射线装置放射防护标准》(GBZ115-2023)。
    在发光闪烁体层面,钙钛矿纳米晶闪烁体通过溶液即可制得,成本极低,且具备全色彩可调谐辐射发光的特点。在直接探测层面,铅卤钙钛矿材料因其具备较大的原子序数、高吸收系数等优点,在X 射线直接探测领域同样表现出非常优异的性能。

    测量方案及相关配置明细:
    ( 一) 稳态光谱及荧光寿命采集
    • 基于皮秒X 射线和TCSPC 测量原理的方法
    • 纳秒脉冲X 射线
    • 稳态和寿命测量数据








    ( 二)X 射线探测成像
    • X 射线探测成像光路图
    • X 射线探测成像及脉冲X 射线实现光电流衰减测量
    • TFT 集成的面阵X 射线成像
    • 成像测量结果








    技术参数:

    稳态X 射线激发发光测量

    光源  

    能量:4-50KV,功率:0-50W 连续可调,靶材:钨靶,铍窗厚度 200μm

    样品位置辐射剂量:0-25Sv/h

    光路

    透射和反射双光路,可切换

    光谱范围

    200-900nm(可扩展近红外)

    监视器

    内置监视器方便观察样品发光,可拍照

    快门

    可控屏蔽快门,辐射光源*大功率下,关闭快门,样品位置辐射剂量小于10uSv/h

    辐射防护

    满足国标《X 射线衍射仪和荧光分析仪卫视防护标准》(GBZ115-2023)

    样品支架

    配备粉末、液体、薄膜样品架

    成像测量模块

    成像面积:直径20mm(可定制更大面积:120mm×80mm)

    成像耦合光路附件,样品测试夹具
    相机参数:颜色:黑白,分辨率:20MP, 5472 (H) x 3648 (V),
    像元尺寸:2.4μm×2.4μm,量子效率:84%@495nm,暗电流:0.001e-/pixel/s,
    制冷温度:-15℃,成像分辨率:优于20lp/mm

    瞬态X 射线激发发光测量

    光源

    皮秒脉冲X 射线源

    纳秒脉冲X 射线源*

    405nm ps 激光二极管:波长:100Hz-100MHz 可调,

    峰值功率:400mW@ 典型值,脉冲宽度:<100ps
    光激发X 射线光管:辐射灵敏度:QE10%(@400nm),靶材:钨,
    操作电压:40KV,操作电流:10μA@ 平均值,50μA@ *大值

     

    电压:150KV

    脉冲宽度:50ns
    重复频率:10Hz
    平均输出剂量率:2.4mR/pulse

     

    数据采集器

    TCSPC 计数器

    条纹相机(同时获得光谱和寿命)

    示波器

     

    瞬时饱和计数率:100Mcps

    时间分辨率(ps):16/32/64/128/
    256/512/1024/…/33554432
    通道数:65535
    死时间:< 10ns
    支持稳态光谱采集
    数据接口:USB3.0
    *大量程:1.08μs @16ps,
    67.1μs@1024ps,
    2.19s@33554432ps

     

    光谱测量范围:200-900nm

    时间分辨率:<=5ps,
    ( *小档位时间范围+ 光谱仪光路系统)
    探测器:同步扫描型通用条纹相机ST10
    测量时间窗口范围:500ps-100us
    ( 十档可选)
    工作模式:静态模式,高频同步模式以及
    低频触发模式;
    系统光谱分辨率:<0.2nm@1200g/mm
    单次成谱范围:>=100nm@150g/mm
    静态(稳态)光谱采集,
    瞬态条纹光谱成像及荧光寿命曲线采集

     

    模拟带宽:500 MHz

    通道数:4+ EXT
    实时采样率:5GSa/s( 交织模式),
    2.5GSa/s( 非交织模式)
    存储深度:250Mpts/ch( 交织模式),
    125 Mpts/ch( 非交织模式)

     

    寿命尺度

    500ps-10μs

    100ps-100μs

     100ns-50ms

    X 射线探测成像

    方式

    CMOS 成像

    单像素探测器

    TFT 集成的面阵探测器

    配置

    成像耦合光路附件,样品测试夹具

    相机参数:
    颜色:黑白
    分辨率:20MP, 5472 (H) x 3648 (V)
    像元尺寸:2.4μm×2.4μm
    量子效率:84%@495nm
    暗电流:0.001e-/pixel/s
    制冷温度:-15℃

    XY 二维电动位移台:

    XY5050:
    行程:X 轴50mm,Y 轴50mm,重复定
    位精度1.5μm,水平负载4Kg;
    XY120120:
    行程:X 轴120mm,Y 轴120mm,重复
    定位精度3μm,水平负载20Kg

    TFT 阵列传感芯片

    (可提供直接型和间接型芯片):
    背板尺寸(H×V×T):
    44.64×46.64×0.5 mm,
    有源区尺寸(H×V):32×32mm,
    分辨率(H×V):64×64,
    像素大小:500×500μm
    TFT 读出系统:
    成像规格:
    解析度:64 行×64 列,
    数据灰阶:支持256 灰阶显示,
    数据通信方式:WIFI 无线通讯,
    数据显示载体:手机/ 平板(Android 9.0
    以上操作系统、6GB 以上运行内存)

     

    辐射剂量

    测定辐射计量表

    探测器:塑料闪烁体, Ø30x15 mm

    连续长期辐射:50 nSv/h ... 10 Sv/h
    连续短期辐射:5 μSv/h ... 10 Sv/h
    环境剂量当量测量范围:10 nSv ... 10 Sv
    连续的短时辐射响应时间:0.03 s
    相对固有误差:连续和短期辐射:±15% *大
    137 Cs 灵敏度:70 cps/(μSv·h-1 )
    剂量率变化0.1 to 1 μSv/h 的反应时间 ( 精度误差 ≤ ±10%) < 2 s
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